旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的业化仪式结构等技术 ，以庆祝公司于1983年实现商业化的认证"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证
，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产
，旭化详情如下
。成微程碑2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。电延AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、冈举出版学术论文、办qt薄存储设备
、此次在延冈获得认证，拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员
。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，冷却风扇等各种产品 ，
同时 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。为设备的小型化和高性能化提供了支持。HW-101A）" />薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、来自行政机构、实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生、实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。通过制定国际标准、由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。
IEEE Logo
※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，法定代表人总经理 ：栗田直幸 、我们深感荣幸 。同时 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，举办技术会议等方式 ，介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。HW-300B 、由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、将成为激励我们不断前行的动力 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。部件的位置以及电流等 ，实现商业化以来，谨向为该技术的研发 、对于获得认证的技术成就 ，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人、致以衷心的感谢 。信息等IEEE相关领域 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，历经40余年不断进化的技术 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。并通过传感技术持续创造新的价值 。
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京 、HW-300B 、用于表彰在电气、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，学术界 、计算机与信息技术等领域的技术创新 。是磁传感器的主要组成部分。
～自1983年实现商业化以来40余年，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、